太阳甉|是制U太阌利用的核?j)技术,?954q发明太阳电(sh)池至今,全球U学工作者进行了(jin)坚持不懈的努力,目前已经q入W三代发展期?/p>
W一代的太阳甉|采用晶圆技术,材料以硅元素ZQ其技术已相当成熟Q目前占M量的98Q以上,其元件的使用寿命已超q?5q_(d)其最高效率ؓ(f)21.5%Q由国 Sun Power公司生。而目前主市(jng)Z的太阳电(sh)池ؓ(f)h较低的多晶硅太阳甉|Q其效率?5Q左叟?III - V 族材料可以制造更高效率(>25%Q的太阳甉|Q但其昂늚成本已产品朝向高效率聚光电(sh)池发展?/p>
W二代的太阳甉|采用薄膜技术,刉程序较圆技术变化多且制作成本低。而达C?sh)力用的只?CIS 甉|Q目前已在欧z量产,效率?3%左右。其他较廉h(hun)但中{效率的太阳甉|有微ӞU?%)、非晶硅Q约10%)?II - VI 族(U?0%Q已q泛应用于消费电(sh)子品,如手表与计算ZQ还有多U可挠的产品面世?/p>
W三代太阳电(sh)池包含所有正在创新、启蒙中的新型太阌光电(sh)技术。目 前分Z大类Q第一cL极高效率(>31%)的新型太阳电(sh)池,主要?nbsp; GaSb 、GaInSb {热能{换晶体加在GaAs 光电(sh)池上Q可使效率达?0%?在单层太阳电(sh)池方面,其理论模拟钛元素之量子点在GaP ?GaAs 中有?辑ֈ63.2%的高效率Q但有待实验的检验。第二类是廉L(fng)可制作成大面 U的有机太阳甉|Q以染料敏化薄膜太阳甉|Z表,含液态电(sh)解液Q此c?nbsp; 甉|实验室达?1%的效率,商品化效率达?%,q保?5q的寿命?如开发成功商品化效率辑ֈ10%,有望使成本降低至25元/m̔, ???nbsp; ?qing)化要求?/p>
各型太阳甉|的光?sh){换效率见?.1,各类太阳甉|的比较见?.2?/p>
各型太阳甉|的光?sh){换效?/span> |
| 晶圆?/span>)
| 1320 |
晶圆型、薄膜型) | 10~15 |
a-Sia-SiOa-SiGe
| 5~10 |
GaAsCdTe()
| 1830 |
CdSCdTe() | 710 |
CuInSe2()
| 2040 |
DSSC) | 10 |
1~5
|
. 2 | ?/span> | |
|
| CIS/CIGS) |
| CdTe) |
| DSSC) |
|