產(chǎn)品世界
我國在LED關(guān)鍵領(lǐng)域已有突破 500lm/$將啟動LED照明爆發(fā)式增長
2011-04-29 13:57:02
我國在LED關(guān)鍵領(lǐng)域已有突破 500lm/$將啟動LED照明爆發(fā)式增長
由廈門市人民政府主辦的2011中國（廈門）LED室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展論壇近期在廈門國際會展中心召開�？萍疾扛辈块L曹建林、中科院半導(dǎo)體研究所所長李晉閩、美國通用電氣照明集團亞太總裁畢堅文、IEC國際標準項目組組長牟同升、國家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副秘書長阮軍、香港應(yīng)科院副總裁吳恩柏、臺灣晶電總經(jīng)理特助王希維等國內(nèi)外LED業(yè)界專家出席論壇并做主題演講。SEMI中國作為特邀嘉賓單位出席了本次論壇。
李晉閩所長介紹了我國在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域取得的最新進展。據(jù)了解，我國在具有自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵設(shè)備MOCVD、HVPE以及在LED器件如深紫外LED等都取得了重大進展。采用國產(chǎn)MOCVD設(shè)備制造了藍光LED芯片在20mA驅(qū)動電流下發(fā)光功率達到8.3mW,達到了國際先進水平，中科院半導(dǎo)體所設(shè)計的國產(chǎn)48片MOCVD機已經(jīng)完成組裝，已進入設(shè)備調(diào)試階段。而HVPE設(shè)備有可能成為未來半導(dǎo)體照明的核心裝備，目前也正在積極發(fā)展之中。另外中科院半導(dǎo)體所在深紫外LED、垂直結(jié)構(gòu)LED芯片、納米圖形襯底等都取得了重大進展。尤其是在深紫外LED領(lǐng)域，不僅可以應(yīng)用于照明領(lǐng)域，在生物領(lǐng)域也有很大的發(fā)展空間，采用深紫外LED對細菌殺菌率達到了90%以上。然而，李所長也提到，目前我國在LED照明關(guān)鍵領(lǐng)域仍然面臨諸多問題和挑戰(zhàn)：研發(fā)投入不夠，力量分散，資源不能共享以及低水平建設(shè)突出等等。
牟同升教授則認為對于照明光源而言，各種光污染已經(jīng)影響到了人類健康。而LED作為無頻閃、無紫外線輻射、無電磁波輻射、較低熱輻射等特性，使之成為真正的健康光源。同時，LED具有多色彩、智能化的優(yōu)點，可以實現(xiàn)不同環(huán)境下照明應(yīng)用，非常適合室內(nèi)對于照明的需求。
國家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副秘書長阮軍則指出，2010年我國LED產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模已經(jīng)達到1200億元，未來5年仍然會以超過30%的復(fù)合增長率增長，預(yù)計到2015年，我國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到5000億元，但目前我國LED企業(yè)規(guī)模小且分散，產(chǎn)業(yè)雖大但不強。因此，需要從國家層面進行統(tǒng)籌協(xié)調(diào)，加大對關(guān)鍵領(lǐng)域的投入以應(yīng)對來自國際化的競爭。
而臺灣晶電王希維則分享關(guān)于LED在背光、通用照明領(lǐng)域發(fā)展趨勢的觀點。他認為，目前LED業(yè)者在LED向背光領(lǐng)域滲透過程中已經(jīng)積累較多關(guān)于如何提升性能、降低成本等領(lǐng)域的經(jīng)驗。而對于固態(tài)照明時代的到來，對于LED來說，挑戰(zhàn)不僅僅是在于lm/W(光效)，同時也仰賴于lm/$(成本)，當成本達到500lm/$時，將會啟動LED照明爆發(fā)式增長。而基于目前LED行業(yè)投入和技術(shù)發(fā)展來看，這一時間節(jié)點有望在2012-2013年間實現(xiàn)。
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